新品發(fā)布
芯能半導體新推出一款采用DFN5*6-8L封裝的4.7mΩ的60V MOS產(chǎn)品：XNDR5N06M。該產(chǎn)品具有高功率密度設計、低導通電阻、低柵極電荷和柵極電阻的特點(diǎn)，適合應用在電機控制器、不間斷電源等領(lǐng)域。
01
產(chǎn)品特性
芯能的XNDR5N06M 經(jīng)過(guò)100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性；沖擊能力強，適用于電機驅動(dòng)應用；同時(shí)DFN5*6封裝可以節省PCB空間，可直接通過(guò)PCB散熱，4.7mΩ低導通電阻，為較低溫升提供保證。具備較低的開(kāi)關(guān)損耗，確保高速電機應用中提高能效和功率密度，改善電磁干擾（EMI）并更容易進(jìn)行PCB設計。
02
吸塵器方案
采用集成預驅Cortex-M4核的UCM32M4371A MCU控制,其具備120MHz處理能力，配合芯能功率MOS XNDR5N06M提供優(yōu)化成熟的高速吸塵方案。
方案優(yōu)勢特點(diǎn)
1
輸入電壓：8-36V
2
驅動(dòng)方式:單電阻無(wú)感FOC旋波
3
轉速：150000 RPM
4
支持恒功率、恒速度控制
5
支持過(guò)溫、過(guò)壓、欠壓、過(guò)流、堵轉、短路等故障保護
方案可提供
1
演示板進(jìn)行功能測試驗證（方便快速的性能驗證）
2
功率、驅動(dòng)和控制一整套芯片，產(chǎn)品方框圖、電路圖、PCBA等技術(shù)資料（成套解決方案資料，縮短客戶(hù)量產(chǎn)周期）
掃碼進(jìn)入芯能商城購買(mǎi)樣品
※ ：產(chǎn)品具體信息可向我司銷(xiāo)售人員咨詢(xún)或索取產(chǎn)品規格書(shū)（service@invsemi.com）。
